Differenze

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--- sezione_13a [2021/02/09 08:43] – [Extra] admin
+++ sezione_13a [2021/02/09 08:50] (versione attuale) – [Saturazione del BJT (dalla scheda integrativa 13A.1)] admin
@@ Linea 113: / Linea 113: @@
 `I_B>=(I_(CMAX))/(h_(FEmin))`
-dove `I_(CMAX)=V_(C\C)/R_C` ((in alternativa `I_(CMAX)=(V_(C\C)-V_(CEsat)\)/R_C` )) è la corrente corrispondente al punto di saturazione ideale e `h_(FEmin)` è il valore minimo dichiarato dal costruttore.
+dove
+`I_(CMAX)=(V_(C\C)-V_(CEsat))/R_C ~= V_(C\C)/R_C`
+è la corrente corrispondente al punto di saturazione ideale e `h_(FEmin)` è il valore minimo dichiarato dal costruttore.
 Altri modi per escludere che il transistor sia in saturazione sono: